2019年8月底，世紀(jì)金光半導(dǎo)體模塊產(chǎn)品再添新成員，推出可滿足大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的1200V/600A全SiC模塊新品。本產(chǎn)品通過全新的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。

據(jù)介紹，本次推出的1200V全SiC模塊系列產(chǎn)品，其電流分為600A和300A兩個(gè)等級(jí)，導(dǎo)通電阻分別為2.2mΩ和4.7mΩ。產(chǎn)品擁有L封裝和K封裝兩種半橋封裝形式。與前期推出的分立器件產(chǎn)品一樣，SiC模塊MOS芯片采用可靠性較高平面柵工藝，SBD芯片采用第二代JBS工藝，既可有效降低損耗，還保障運(yùn)行中的高可靠性。

該系列產(chǎn)品的推出，將滿足功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用（譬如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、逆變器、DC/DC變換器等）對(duì)于高能效SiC解決方案不斷快速增長(zhǎng)的需求。

4產(chǎn)品特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

由于寬禁帶半導(dǎo)體材料特有的材料優(yōu)勢(shì)，SiC 器件漂移區(qū)的阻抗比Si器件低，因此不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓和低電阻。可采用不產(chǎn)生拖尾電流MOSFET技術(shù)，所以碳化硅MOSFET替代 IGBT 時(shí)，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。碳化硅MOSFET能夠更高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)被動(dòng)器件的小型化。同時(shí)，與之配對(duì)的碳化硅二極管技術(shù)，無(wú)少子存儲(chǔ)效應(yīng)，可實(shí)現(xiàn)快速、穩(wěn)定的恢復(fù)特性。

Cengol全碳化硅功率模塊與同規(guī)格的IGBT模塊開關(guān)損耗對(duì)比

（損耗數(shù)據(jù)來(lái)源業(yè)內(nèi)最常用的一款IGBT模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)）

備注：以上數(shù)據(jù)僅表示CENGOL的評(píng)估結(jié)果，僅供參考。此處的任何特性并非CENGOL的保證值。另，針對(duì)600A下SiC模塊的損耗，我們按照“在大電流下?lián)p耗同電流是近似線性關(guān)系”這一規(guī)律，折算出600A條件下SiC的損耗數(shù)據(jù)。

4目標(biāo)電路示意

4新品陣容

世紀(jì)金光作為一家從設(shè)計(jì)研發(fā)到封裝測(cè)試為一體的第三代半導(dǎo)體IDM企業(yè)，其產(chǎn)品陣容囊括具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的6英寸碳化硅襯底、碳化硅單晶片、wafer、多種規(guī)格及封裝形式的碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅功率模塊等一系列碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品。此次新品的推出，將進(jìn)一步完善世紀(jì)金光模塊產(chǎn)品在大電流中的選型應(yīng)用。

保持一貫的嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)致的作風(fēng)，世紀(jì)金光新品均經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)評(píng)，可針對(duì)不同行業(yè)用戶提供選型送樣驗(yàn)證服務(wù)，歡迎咨詢。

全碳化硅模塊選型：