新品 | 世紀(jì)金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件
來(lái)源:世紀(jì)金光網(wǎng)站 發(fā)布時(shí)間:2022-10-08
世紀(jì)金光第二代1200V SiC MOSFET器件【CGE2M120080】
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱“世紀(jì)金光”)是一家專注于碳化硅功能材料和功率器件研發(fā)與生產(chǎn)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)公司,深耕第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)15年。2022年9月26日,世紀(jì)金光推出新款SiC 功率器件——第二代1200V 80mΩ SiC MOSFET的器件CGE2M120080,該系列具有更低導(dǎo)通電阻,高開(kāi)關(guān)速度,低開(kāi)關(guān)損耗等特性,主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車OBC、充電樁、光伏逆變等領(lǐng)域。
表1 CGE2M120080 SiC MOSFET器件主要規(guī)格參數(shù)
新產(chǎn)品單位面積導(dǎo)通電阻RDS(ON)相對(duì)于上一代產(chǎn)品下降了大約53%,柵總電荷量下降52%,使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大約78%,有效提升開(kāi)關(guān)速度,從而使開(kāi)關(guān)損耗減小超過(guò)20%,整體性能表現(xiàn)居先進(jìn)水平。
此產(chǎn)品為世紀(jì)金光第二代MOSFET平臺(tái)下首款產(chǎn)品,我們后續(xù)將繼續(xù)擴(kuò)展SiC MOSFET功率器件產(chǎn)品線,開(kāi)發(fā)更多電壓電流規(guī)格的產(chǎn)品,提升器件性能、降低開(kāi)關(guān)損耗,提升設(shè)備效率,持續(xù)地為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。
1、顯著改善導(dǎo)通電阻和RDS(on)*Qgd (FOM)
與第一代產(chǎn)品相比,通過(guò)溝道及JFET優(yōu)化技術(shù),單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)降低了大約53%,主要應(yīng)用電流比導(dǎo)通電阻均達(dá)到3.5mΩ·cm2以下; RDS(on)*Qgd下降78%,約為1500 mΩ·nC;柵總電荷量下降52%,低至54.5nC,為實(shí)現(xiàn)更高速應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。
圖1新一代產(chǎn)品導(dǎo)通電阻和FOM對(duì)比圖
圖2 RDS(on)-ID曲線圖 圖3 柵總電荷曲線圖
2、開(kāi)關(guān)時(shí)間減小,速度提升
第一代和第二代SiC MOSFET開(kāi)關(guān)曲線如下。第二代產(chǎn)品開(kāi)關(guān)時(shí)間減小,從而使開(kāi)關(guān)損耗減小超過(guò)20%。
圖4 新一代產(chǎn)品開(kāi)通/關(guān)斷延遲時(shí)間對(duì)比圖
3、溫度穩(wěn)定性提高,降低散熱壓力
第二代SiC MOSFET器件,改進(jìn)設(shè)計(jì)工藝,優(yōu)化器件封裝,在溫度穩(wěn)定性方面,尤其是高溫狀態(tài)下,器件參數(shù)變化更小。有效降低應(yīng)用中熱設(shè)計(jì)難度,減輕散熱壓力。
圖5 導(dǎo)通電阻隨溫度變化曲線
4、體二極管導(dǎo)通壓降下降,續(xù)流能力增強(qiáng)
采用二極管增強(qiáng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有效降低體二極管導(dǎo)通壓降,較前一代導(dǎo)通壓降下降超過(guò)1V。感性負(fù)載下提供更強(qiáng)的電流續(xù)流能力,有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)能量利用率。
圖6 不同柵極電壓下導(dǎo)通壓降隨電流變化曲線